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MPSA28

更新时间： 2024-11-27 22:51:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 126K
描述
NPN Darlington Transistor

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MPSA28 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.09
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：10000JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：125 MHzBase Number Matches：1

MPSA28 数据手册

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Discrete POWER & Signal  
Technologies  
MPSA28  
MMBTA28  
PZTA28  
C
C
E
E
C
B
TO-92  
C
B
SOT-23  
Mark: 3SS  
B
SOT-223  
E
NPN Darlington Transistor  
This device is designed for applications requiring extremely  
high current gain at collector currents to 500 mA. Sourced  
from Process 03.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCES  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
80  
80  
V
V
12  
V
Collector Current - Continuous  
800  
mA  
°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
MPSA28  
*MMBTA28  
**PZTA28  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
625  
5.0  
83.3  
350  
2.8  
1,000  
8.0  
mW  
mW/°C  
°C/W  
Rθ  
JC  
Rθ  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
357  
125  
°C/W  
JA  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."  
**Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm2.  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234

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MPSA28 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MPSA70LEADFREE CENTRAL

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

与MPSA28相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPS-A28 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92
MPSA28/D26Z-J18Z TI

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 		800mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA28/D27Z TI

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 		800mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA28/D27Z-J61Z TI

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 		800mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA28/D74Z TI

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MPSA28/D74Z-J05Z TI

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 		800mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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