MPSA06

更新时间： 2024-11-21 04:39:15

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管
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2页	107K
描述
General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors

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MPSA06 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	0.63	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

MPSA06 数据手册

MPSA05 ... MPSA06

General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz

NPN

Version 2006-07-25

Power dissipation

Verlustleistung

625 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

TO-92

(10D3)

E B C

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

2 x 2.54

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MPSA05

MPSA06

80 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

V_CEO

V_CBO

V_EBO

P_tot

60 V

80 V

4 V

625 mW ¹)

500 mA

1 A

Collector current – Kollektorstrom (dc)

I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

I_CM

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

I_C= 10 mA, V_CE= 1 V

I_C= 100 mA, V_CE= 1 V

h_FE

100

–

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)

I_C= 100 mA, I_B= 10 mA

Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung ²)

V_CEsat

–

0.25 V

1.2 V

I_C= 100 mA, V_CE= 1 V

V_BE

Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom

V_CB= 60 V, (E open)

V_CB= 80 V, (E open)

MPSA05

MPSA06

I_CBO

–

100 nA

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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MPSA06 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MPSA06-AP	MCC	类似代替	NPN Small Signal Transistors 625mW
MPSA06	FAIRCHILD	类似代替	NPN General Purpose Amplifier

与MPSA06相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPS-A06	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS
MPSA06(OPTION5)	TI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA06,126	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 P
MPSA06/D10Z{OPTION18}	TI	获取价格	500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA06/D10Z{OPTION5}	TI	获取价格	500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA06/D10Z-18	TI	获取价格	80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
MPSA06/D10Z-J14Z	TI	获取价格	80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
MPSA06/D10Z-J22Z	TI	获取价格	80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
MPSA06/D10Z-J61Z	TI	获取价格	80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
MPSA06/D11Z	TI	获取价格	500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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