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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MPS3702-BP-HF
MPS3702-BP-HF PDF预览

MPS3702-BP-HF

更新时间： 2024-11-25 13:11:47
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体放大器晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 207K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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MPS3702-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.64
Is Samacsys：N湿度敏感等级：1
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MPS3702-BP-HF 数据手册

 浏览型号MPS3702-BP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MPS3702-BP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
MPS3702  
Micro Commercial Components  
Features  
•
This device is designed for use as general purpose amplifiers and  
switches requiring collector currents to 500mA  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
PNP General  
Purpose Amplifier  
·
·
·
TO-92  
Maximum Ratings*  
A
E
Symbol  
Rating  
Rating  
25  
40  
5.0  
800  
Unit  
V
V
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current, Continuous  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
V
B
mA  
OC  
OC  
TJ  
TSTG  
-55 to +150  
-55 to +150  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Rating  
Max  
Unit  
PD  
Total Device Dissipation  
625  
5.0  
83.3  
200  
mW  
Derate above 25OC  
mW/ OC  
C
RJC  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
OC/W  
OC/W  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
D
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(I =10mAdc, I =0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
25  
40  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
C
B
(I =100ì Adc, IE=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
5.0  
---  
---  
---  
Vdc  
(I =100ì Adc, IC=0)  
E
E
B
I
Collector Cutoff Current  
(VCB=20Vdc, IE=0)  
Base Cutoff Current  
(VEB=3.0Vdc, IC=0)  
100  
100  
nAdc  
nAdc  
G
C
CBO  
IEBO  
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any  
semiconductor device may be impaired.  
Notes: 1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.096  
MAX  
.190  
MIN  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on  
applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
E
G
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPS3702C VISHAY

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 		Transistor,
MPS3702D26Z TI

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 		PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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 		PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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