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MPQ3725

更新时间: 2024-09-27 20:25:19
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 33K
描述
TRANSISTOR 1000 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116, BIP General Purpose Small Signal

MPQ3725 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PDIP-T14Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.72Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1 A基于收集器的最大容量:10 pF
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):25JEDEC-95代码:TO-116
JESD-30 代码:R-PDIP-T14JESD-609代码:e0
元件数量:4端子数量:14
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHz最大关闭时间(toff):75 ns
最大开启时间(吨):40 nsVCEsat-Max:0.45 V
Base Number Matches:1

MPQ3725 数据手册

  

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