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MPQ3906TIN/LEAD

更新时间: 2024-09-29 20:08:27
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CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 421K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), PNP,

MPQ3906TIN/LEAD 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.88
最大集电极电流 (IC):0.2 A最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):2 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED标称过渡频率 (fT):200 MHz
Base Number Matches:1

MPQ3906TIN/LEAD 数据手册

 浏览型号MPQ3906TIN/LEAD的Datasheet PDF文件第2页 
MPQ3906  
www.centralsemi.com  
PNP SILICON QUAD TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MPQ3906 type is  
comprised of four independent PNP silicon transistors  
mounted in a 14-pin DIP, designed for general purpose  
amplifier and switching applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-116 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
V
V
40  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
V
V
Emitter-Base Voltage  
5.0  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation (per transistor)  
Power Dissipation (total package)  
Operating and Storage Junction Temperature  
I
200  
mA  
mW  
W
C
P
500  
D
D
P
2.0  
T , T  
-65 to +150  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
V
=30V  
50  
nA  
CBO  
CB  
I
V
=4.0V  
50  
nA  
V
EBO  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =10μA  
40  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =1.0mA  
V
C
I =10μA  
5.0  
V
E
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.25  
0.85  
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
h
h
h
V
=1.0V, I =0.1mA  
40  
60  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
BE  
C
V
V
V
V
V
V
=1.0V, I =1.0mA  
FE  
C
=1.0V, I =10mA  
75  
FE  
C
f
=20V, I =10mA, f=100MHz  
200  
MHz  
pF  
T
C
C
C
=5.0V, I =0, f=140kHz  
4.5  
10  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=140kHz  
pF  
C
t
t
=0.5V, I =10mA, I =1.0mA  
43  
ns  
on  
off  
C
B1  
I =10mA, I =I =1.0mA  
155  
ns  
C
B1 B2  
R1 (4-December 2012)  

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