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MPLAD6.5KP12AE3

更新时间: 2024-11-23 20:07:47
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 352K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 6500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MINI-PLAD, 1 PIN

MPLAD6.5KP12AE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MINI-PLAD, 1 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.6其他特性:HIGH RELIABILITY
最大击穿电压:14.7 V最小击穿电压:13.3 V
击穿电压标称值:14 V外壳连接:CATHODE
最大钳位电压:19.9 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:S-PSSO-G1JESD-609代码:e3
最大非重复峰值反向功率耗散:6500 W元件数量:1
端子数量:1最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2.5 W参考标准:AEC-Q101; MIL-19500
最大重复峰值反向电压:12 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

MPLAD6.5KP12AE3 数据手册

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MPLAD6.5KP12AE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MXLPLAD6.5KP12AE3 MICROSEMI

完全替代

Trans Voltage Suppressor Diode, 6500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HAL

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPLAD6.5KP24AE3 MICROSEMI

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