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MP9N150

更新时间: 2024-11-17 17:02:03
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华微电子 - JSMC /
页数 文件大小 规格书
8页 931K
描述
TO-247

MP9N150 数据手册

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N 沟道增强型场效应晶体管  
N- CHANNEL MOSFET  
R
MP9N150  
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS  
封装 Package  
ID  
9 A  
VDSS  
1500 V  
2.50  
87.9 nC  
Rdson-max  
Qg-typ  
APPLICATIONS  
High efficiency switch  
mode power supplies  
Electronic lamp ballasts  
based on half bridge  
UPS  
用途  
高频开关电源  
电子镇流器  
-
UPS 电源  
产品特性  
低栅极电荷  
FEATURES  
Low gate charge  
Low Crss (typical 10 pF )  
Fast switching  
Crss (典型值 10 pF)  
开关速度快  
产品全部经过雪崩测试  
高抗 dv/dt 能力  
RoHS 产品  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
RoHS product  
订货信息 ORDER MESSAGE  
订货型号 Order codes  
无卤-条管 有卤-编带  
Halogen-Tube Halogen-Free-Tube Halogen-Reel Halogen-Free-Reel  
印记  
封装  
有卤-条管  
无卤-编带  
Marking  
Package  
MP9N150-GE-B MP9N150-GE-BR  
N/A  
N/A  
MP9N150  
TO-247  
版本:202310A  
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