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MP03HBN360-12

更新时间: 2024-01-07 17:03:57
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网栅极
页数 文件大小 规格书
10页 405K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 352000mA I(T), 1200V V(RRM),

MP03HBN360-12 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81Is Samacsys:N
最大直流栅极触发电流:150 mA最大直流栅极触发电压:3 V
快速连接描述:G螺丝端子的描述:A-K-AK
最大漏电流:30 mA通态非重复峰值电流:10600 A
最大通态电压:1.42 V最大通态电流:352000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
重复峰值反向电压:1200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
Base Number Matches:1

MP03HBN360-12 数据手册

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