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MMT05B350T3

更新时间： 2024-02-23 01:33:19

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安森美 - ONSEMI		光电二极管高压
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5页	63K
描述
Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD

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MMT05B350T3 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-214	包装说明：	CASE 403C, SMT, SMB, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.78	其他特性：	UL RECOGNIZED
最大转折电压：	400 V	配置：	SINGLE
最大断态直流电压：	300 V	JEDEC-95代码：	DO-214AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	通态非重复峰值电流：	32 A
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR	Base Number Matches：	1

MMT05B350T3 数据手册

MMT05B350T3

100

400

390

= 50V

380

370

1.0

360

350

340

0.1

0.01

330

320

0.001

−60 −40 −20

40 60 80 100 120 140

−60 −40 −20

20 40 60 80 100 120 140

TEMPERATURE (°C)

Figure 1. Typical Off−State Current versus

Temperature

Figure 2. Typical Breakdown Voltage versus

Temperature

440

600

550

500

430

420

410

450

400

350

300

250

200

150

100

400

390

380

−60 −40 −20

20 40

80 100 120 140

−40 −20

100 120

TEMPERATURE (°C)

Figure 3. Maximum Breakover Voltage versus

Temperature

Figure 4. Typical Holding Current versus

Temperature

420

t = rise time to peak value

400

380

360

340

320

300

280

260

240

220

t = decay time to half value

Peak

Value

100

Half Value

100

1000

100000

0 t

TIME (sec)

TIME (ms)

Figure 5. Exponential Decay Pulse Waveform

Figure 6. Peak Surge On−State Current versus

Surge Current Duration, Sinusoidal Waveform

http://onsemi.com

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