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MMSZ5257B

更新时间: 2024-11-28 23:02:47
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强茂 - PANJIT 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
5页 84K
描述
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

MMSZ5257B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.03Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:58 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-G2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:33 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:3.8 mABase Number Matches:1

MMSZ5257B 数据手册

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MMSZ5221B thru MMSZ5259B  
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES  
POWER  
500 mWatts  
VOLTAGE  
2.4 to 39 Volts  
FEATURES  
• Planar Die construction  
• 500mW Power Dissipation  
• Zener Voltages from 2.4V - 39V  
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes  
MECHANICAL DATA  
• Case: SOD-123, Molded Plastic  
• Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
• Polarity: See Diagram Below  
SOD-123  
• Approx. Weight: 0.008 grams  
• Mounting Position: Any  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Parameter  
Power Dissipation (Notes A) at 75OC  
Symbol  
Value  
500  
Units  
mW  
Amps  
OC  
P
D
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half  
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) (Notes B)  
4.0  
IFSM  
Operating Junction and StorageTemperature Range  
-55 to +150  
TJ  
NOTES:  
A. Mounted on 5.0mm2(.013mm thick) land areas.  
B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.  
Part Number: MMSZ5221B - MMSZ5259B  
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