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MMST5551

更新时间： 2024-01-20 02:10:42

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描述
TRANSISTOR (NPN)

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MMST5551 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

MMST5551 数据手册

RoHS

MMST5551

SOT-323

MMST5551 TRANSISTOR (NPN)

1. BASE

2. EMITTER

FEATURES

1. 25¡ À0. 05

3. COLLECTOR

Power dissipation

P_CM:

0.2

W (Tamb=25℃)

2. 30¡ À0. 05

Collector current

I_CM:

0.2

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

160

Operating and storage junction temperature range

Unit: mm

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=100µA, I_E=0

Ic=1mA, I_B=0

MIN

180

160

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=10µA, I_C=0

V_CB=120V, I_E=0

I_EBO

Emitter cut-off current

V_EB=3V, I_C=0

h_FE(1)

_CE=5V, I_C=1mA

DC current gain

h_FE(2)

V_CE=5V, I_C=-10mA

250

h_FE(3)

V_CE=5V, I_C=50mA

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

I_C=10mA, I_B=1mA

I_C=50mA, I_B=5mA

0.15

0.2

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

I_C=10mA, I_B=1mA

I_C=50mA, I_B=5mA

100

300

MHz

Transition frequency

V_CE=10V, I_C=10mA, f=100MHz

C_ob

Collector output capacitance

_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

_CE=5V, I_c=0.2mA,

WEJ ELECNFTRONIC CO.,LTdB D

Noise figure

f=1KHZ, Rg=10Ω

Marking

K4N

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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