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MMF70R600QTH

更新时间： 2024-05-23 22:23:18

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美格纳 - MGCHIP		/
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TO-220F

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MMF70R600QTH 数据手册

MMF70R600Q Datasheet

MMF70R600Q

700V 0.6Ω N-channel MOSFET

 Description

MMF70R600Q is power MOSFET using Magnachip’s advanced super junction technology that can

realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using

optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to

designers as well as low switching loss.

 Key Parameters

 Package & Internal Circuit

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

V_TH,typ

Value

Unit

750

0.6

Ω

I_D

7.3

Q_g,typ

 Features

 Low Power Loss by High Speed Switching and Low On-Resistance

 Excellent ESD robustness

 100% Avalanche Tested

 Green Package – Pb Free Plating, Halogen Free

 Product validation acc. JEDEC Standard

 Applications

 PFC Power Supply Stages

 Switching Applications

 Adapter

 Ordering Information

Order Code

Marking

Temp. Range

Package

Packing

RoHS Status

MMF70R600QTH

70R600Q

-55 ~ 150^oC

TO-220F(3L)

Tube

Compliant

Jun. 2021. Revision 1.3

Magnachip Semiconductor Ltd.

12 3 4 5 6 7...10

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