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MMDP-65697L-45/883

更新时间： 2024-01-01 12:58:19

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	104K
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Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CQFP28,

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MMDP-65697L-45/883 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	45 ns
JESD-30 代码：	S-CQFP-F28	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	256KX1	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
最小待机电流：	2 V	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	FLAT
端子位置：	QUAD	Base Number Matches：	1

MMDP-65697L-45/883 数据手册

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MATRA MHS

M 65697

256 K × 1 Ultimate CMOS SRAM

Introduction

The M 65697 is a very low power CMOS static RAM supply current (Typical value = 0.1 µA) with a fast access

organized as 262144 × 1 bit. It is manufactured using the time at 40 ns. The high stability of the 6T cell provides

MHS high performance CMOS technology named excellent protection against soft errors due to noise.

SCMOS.

Extra protection against heavy ions is given by the use of

With this process, MHS is the first to bring the solution for

applications where fast computing is as mandatory as low

consumption, such as aerospace electronics, portable

instruments or embarked systems.

an epitaxial layer of a P substrate.

The M 67697 is 100 % processed following the test

methods of MIL STD 883 and/or ESA/SCC 9000, making

it ideally suitable for military/space applications that

demand superior levels of performance and reliability.

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the

65697 combines an extremely low standby

Features

D Access time

D 300 mils width package

D TTL compatible inputs and outputs

D Asynchronous

commercial : 35(*), 40, 45, 55 ns

industrial and military : 40(*), 45, 55 ns

D Very low power consumption

active : 50 mW (typ)

D Single 5 volt supply

D Equal cycle and access time

standby : 0.5 µW (typ)

D Gated inputs :

no pull-up/down

resistors are required

data retention : 0.4 µW (typ)

D Wide temperature range : –55 to + 125 °C

* Preliminary. Consult sales.

Interface

Block Diagram

Rev. C (12/12/94)

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMDP-65697L-45/883:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CQFP28,
MMDP-65697L-45:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CQFP28,
MMDP-65697L-45P883	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CQFP28,
MMDP-65697L-45P883:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CQFP28,
MMDP-65697L-45SHXXX	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CQFP28,
MMDP-65697L-45SHXXX:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CQFP28,
MMDP-65697L-55	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CQFP28,
MMDP-65697L-55/883	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CQFP28,
MMDP-65697L-55:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CQFP28,
MMDP-65697L-55P883	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CQFP28,

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