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MMBZ5231-V-G-18

更新时间： 2024-11-28 19:30:43

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威世 - VISHAY		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	82K
描述
DIODE 5.1 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-3, Voltage Regulator Diode

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MMBZ5231-V-G-18 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.6	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	5.1 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	工作测试电流：	20 mA
Base Number Matches：	1

MMBZ5231-V-G-18 数据手册

MMBZ5225-V-G to MMBZ5267-V-G

www.vishay.com

Vishay Semiconductors

Small Signal Zener Diodes

FEATURES

• Silicon planar power Zener diodes.

• Standard Zener voltage tolerance is 5 ꢀ with

a “B” suffix (e.g.: MMBZ5225B-V-G), suffix “C”

is 2 ꢀ tolerance

• High temperature soldering guaranteed:

260 °C/4 x 10 s at terminals

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

Note

PRIMARY CHARACTERISTICS

** Please see document “Vishay Material Category Policy”:

www.vishay.com/doc?99902

PARAMETER

V_Zrange nom.

Test current I_ZT

V_Zspecification

Int. construction

VALUE

UNIT

3 to 75

1.7 to 20

Thermal equilibrium

Single

ORDERING INFORMATION

MINIMUM ORDER

TAPED UNITS PER REEL

DEVICE NAME

ORDERING CODE

QUANTITY

MMBZ5225-V-G to

MMBZ5267-V-Gseries-18

10 000 (8 mm tape on 13"

MMBZ5225-V-G to MMBZ5267-V-G

10 000/box

reel)

MMBZ5225-V to

MMBZ5267-V-G-series-08

3000 (8 mm tape on 7" reel)

15 000/box

PACKAGE

MOLDING COMPOUND MOISTURE SENSITIVITY

SOLDERING

CONDITIONS

PACKAGE NAME

WEIGHT

8.1 mg

FLAMMABILITY RATING

LEVEL

MSL level 1

SOT-23

UL 94 V-0

260 °C/10 s at terminals

(according J-STD-020)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

On FR - 5 board using recommended solder pad

layout

P_tot

225

300

Power dissipation

On alumina substrate

P_tot

Zener current

See table “Caharacteristics”

On FR - 5 board using recommended solder pad

layout

Junction to ambient air

R_thJA

556

K/W

T_j

Junction temperature, maximum

Storage temperature range

150

°C

T_stg

- 65 to + 175

Rev. 1.2, 24-Nov-11

Document Number: 85183

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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MMBZ5231-V-GS18	VISHAY	获取价格	DIODE 5.1 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ROHS COMPLIANT, PLA
MMBZ5232	GOOD-ARK	获取价格	SURFACE MOUNT ZENER DIODES/SOT-23
MMBZ5232	VISHAY	获取价格	ZENER DIODES
MMBZ5232/E9	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 0.3W, Silicon, Unidirectional, TO-236AB
MMBZ5232A	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
MMBZ5232A	BL Galaxy Electrical	获取价格	5.6V,350mW,Surface Mount Zener Diodes
MMBZ5232AW	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
MMBZ5232B	MCC	获取价格	410 mW Zener Diode 2.4 to 39 Volts
MMBZ5232B	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

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