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MMBZ5229BV

更新时间: 2024-01-06 12:11:31
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强茂 - PANJIT 稳压二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 99K
描述
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

MMBZ5229BV 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.61Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.225 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:4.3 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

MMBZ5229BV 数据手册

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MMBZ5221BV~MMBZ5267BV  
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES  
POWER  
VOLTAGE  
2.4 to 75 Volts  
200 mWatts  
FEATURES  
• Planar Die construction  
• 200mW Power Dissipation  
• Zener Voltages from 2.4V~75V  
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes  
• Pb free product : 99% Sn above can meet RoHS  
environment substance request  
MECHANICALDATA  
• Case: SOD-523, Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Sandard packaging : 8mm tape  
• Weigh : approximately 0.002gram  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Units  
Parameter  
Symbol  
Value  
Power Dissipation @ TA= 25OC(Note A)  
PD  
200  
mW  
Operating Junction and StorageTemperature Range  
TJ  
-55 to +150  
OC  
NOTES:  
A. Mounted on 5.0mm2(.013mm thick) land areas.  
B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.  
STAD-DEC.20.2005  
PAGE . 1  

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