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MMBZ5226B

更新时间： 2024-01-10 00:13:03
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
6页 206K
描述
Zeners

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MMBZ5226B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.62配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.225 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：3.3 V
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
工作测试电流：20 mABase Number Matches：1

MMBZ5226B 数据手册

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MMBZ5226B - MMBZ5257B Series Zeners  
Tolerance: B = 5%  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
3
Parameter  
Value  
Units  
Storage Temperature Range  
-55 to +150  
+ 150  
°C  
°C  
2
Maximum Junction Operating Temperature  
1
Total Device Dissipation  
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
Derate above 25°C  
SOT-23  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.  
CONNECTION  
DIAGRAM  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed  
or low duty cycle operations.  
3
2 NC  
1
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
VZ  
(V)  
ZZ  
(Ω)  
IZT  
(mA)  
ZZK  
(Ω)  
IZK  
(mA)  
VR  
(V)  
IR  
(µA)  
@
@
@
Device  
Mark  
8A  
8B  
8C  
8D  
8E  
8F  
8G  
8H  
8J  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.0  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
8.7  
9.1  
10  
28  
24  
23  
22  
19  
17  
11  
7.0  
7.0  
5.0  
6.0  
8.0  
8.0  
10  
17  
22  
30  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
1,600  
1,700  
1,900  
1,000  
1,900  
1,600  
1,600  
1,600  
1,000  
750  
500  
500  
600  
600  
600  
600  
600  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
2.0  
2.0  
3.0  
3.5  
4.0  
5.0  
6.0  
6.5  
6.5  
7.0  
8.0  
8.4  
9.1  
25  
15  
10  
MMBZ 5226B  
MMBZ 5227B  
MMBZ 5228B  
MMBZ 5229B  
MMBZ 5230B  
MMBZ 5231B  
MMBZ 5232B  
MMBZ 5233B  
MMBZ 5234B  
MMBZ 5235B  
MMBZ 5236B  
MMBZ 5237B  
MMBZ 5238B  
MMBZ 5239B  
MMBZ 5240B  
MMBZ 5241B  
MMBZ 5242B  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
2.0  
1.0  
8K  
8L  
8M  
8N  
8P  
8Q  
8R  
8S  
11  
12  
Foward Voltage = 0.9 V Maximum @ IF = 10 mA for all MMBZ 5200 series  
VF  
NOTE: National preferred devices in BOLD  
2000 Fairchild Semiconductor International  
MMBZ5226B-MMBZ5257B Rev A1  
123456

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MMBZ5226B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BZX84-A3V3,215 NXP

功能相似

 BZX84 series - Voltage regulator diodes TO-236 3-Pin

与MMBZ5226B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBZ5226B/E9 VISHAY

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MMBZ5226B-E3-18 VISHAY

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 		DIODE 3.3 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, Voltage R
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 		Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
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