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MMBD4448HT PDF预览

MMBD4448HT

更新时间： 2024-01-07 04:00:11
品牌 Logo 应用领域
SECOS 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 283K
描述
Plastic-Encapsulated Switching Diode

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MMBD4448HT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.59配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.72 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：4 A元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.25 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MMBD4448HT 数据手册

 浏览型号MMBD4448HT的Datasheet PDF文件第2页 
MMBD4448HT Series  
Plastic-Encapsulated Switching Diode  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
SOT-523  
FEATURES  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Fast switching speed  
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
A
L
3
3
Top View  
C B  
1
1
2
MARKING  
2
K
F
E
Product  
MMBD4448HT  
MMBD4448HTA  
MMBD4448HTC MMBD4448HTS  
D
A3  
A6  
A7  
AB  
Marking  
H
J
G
Millimeter  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Circuit  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
A
B
C
D
E
F
1.5  
1.45  
0.75  
0.7  
1.7  
G
H
J
K
L
-
0.1  
1.75  
0.85  
0.9  
0.55 REF.  
0.1  
0.2  
-
0.9  
1.1  
0.5 TYP.  
0.25 0.325  
PACKAGE INFORMATION  
0.15  
0.25  
M
Package  
MPQ  
3K  
Leader Size  
SOT-523  
7 inch  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise specified)  
Parameters  
Symbol  
VRM  
VRRM  
Rating  
100  
80  
Unit  
V
V
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
RWM  
80  
V
V
R
80  
V
RMS Reverse Voltage  
V
R(RMS)  
57  
V
Forward Continuous Current  
Average Rectified Output Current  
Non-Repetitive Peak Forward Surge  
Current  
IFM  
500  
250  
4.0  
mA  
mA  
IO  
t=1.0µs  
IFSM  
A
t=1.0s  
1.5  
Power Dissipation  
PD  
150  
833  
-65~150  
mW  
°C / W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Storage Temperature  
RθJA  
TSTG  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameters  
Symbol  
VR  
Min.  
Max.  
-
0.72  
0.855  
1
Unit  
Test Conditions  
IR=2.5µA  
IF=5mA  
Reverse Breakdown Voltage  
80  
V
V
VF1  
VF2  
VF3  
VF4  
IR1  
0.62  
-
-
-
-
V
IF=10mA  
Forward Voltage  
V
IF=100mA  
IF=150mA  
VR=70V  
1.25  
0.1  
25  
V
µA  
nA  
pF  
nS  
Maximum DC Reverse Current at rated  
DC blocking voltage  
IR2  
VR=20V  
Capacitance between terminals  
Maximum Reverse Recovery Time  
CT  
3.5  
4
V
V
R
=6V, f=1MHz  
=6V, I =5mA  
TRR  
-
R
F
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
21-Jul-2011 Rev. A  
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12

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