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MMBD4448HTA-TP-HF

更新时间： 2024-01-18 03:08:57

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	215K
描述
Rectifier Diode,

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技术参数
数据手册

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MMBD4448HTA-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.59
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
最大重复峰值反向电压：	80 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MMBD4448HTA-TP-HF 数据手册

浏览型号MMBD4448HTA-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页

M C C

MMBD4448HT/

HTA/HTC/HTS

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

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Micro Commercial Components

Features

•

Fast Switching Speed

For General Purpose Switching Applications

High Conductance, Power Dissipation

Ultra-Small Surface Mount Package

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

150mW

Switching Diodes

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

SOT-523

•

Maximum Ratings

Symbol

V_RM

V_RRM

V_RWM

V_R

Rating

100

Unit

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_R(RMS)

I_FM

I_O

RMS Reverse Voltage

Forward Continuous Current

Average Rectified Output Current

500

250

Peak Forward Surge Current @1.0Is

4.0

2.0

I_FSM

@1.0s

Thermal Resistance Junction to Ambient

R/W

P_D

T_J

833

150

Power dissipation

Junction Temperature

DIMENSIONS

INCHES

Storage Temperature

T_STG

-65 to +150

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

DIM

MIN

.059

.030

.057

.020 Nominal

.035

.000

.028

.004

.010

MAX

.067

.033

.069

MIN

1.50

0.75

1.45

MAX

1.70

0.85

1.75

NOTE

Symbol

V_(BR)

Parameter

Min

Max

---

Test Conditions

Reverse Breakdown Voltage

80V

I_R=2.5IA

0.50Nominal

0.90

.043

.004

.031

.008

.014

1.10

V_R=70V

V_R=20V

Reverse Voltage Leakage

Current

0.1IA

25 nA

I_R

---

.000

.70

.100

.25

.100

0.80

.200

.35

0.62

---

0.72V

0.855V

1.0V

I_F=5.0mA

I_F=10mA

V_F

Forward Voltage

I_F=100mA

I_F=150mA

V_R=6V, f=1MHZ

I_F=5mA,

---

1.25V

3.5pF

C_T

t_rr

Total Capacitance

---

VR=6V

Reverse Recovery Time

---

4.0ns

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: B

2013/01/01

12 3

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