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MMBD202CC

更新时间： 2023-12-06 20:07:52

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先科 - SWST		开关小信号开关二极管
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3页	315K
描述
小信号开关二极管

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MMBD202CC 数据手册

MMBD202CC

Silicon Epitaxial Planar Switching Diode

Application

• Ultra high speed switching

1. Anode 2. Anode 3. Cathode

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Maximum Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

V_RM

V_R

Average Rectified Forward Current

I_F(AV)

100

Maximum Peak Forward Current

I_FM

I_FSM

P_tot

T_j

300

Non-repetitive Peak Forward Surge Current (t = 1 μs)

350

Power Dissipation

℃

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

357

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Reverse Breakdown Voltage

Symbol

V_(BR)R

Min.

Max.

Unit

at I_R= 100 µA

Forward Voltage

at I_F= 100 mA

V_F

I_R

1.2

0.1

3.5

Reverse Current

at V_R= 70 V

µA

Total Capacitance

at V_R= 6 V, f = 1 MHz

C_T

t_rr

Reverse Recovery Time

at V_R= 6 V, I_F= 10 mA , I_RR= 0.1 * I_R, R_L= 100 Ω

1 / 3

Dated: 15/08/2022 Rev: 03

12 3

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