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MMBD202CC

更新时间： 2024-02-18 12:15:11

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SILICON EPITAXIAL PLANAR SWITCHING DIODE

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MMBD202CC 数据手册

MMBD202CC

SILICON EPITAXIAL PLANAR SWITCHING DIODE

Application

• Ultra high speed switching

Marking Code: A4

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Maximum Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

V_RM

V_R

I_O

Average Forward Current

Maximum Peak Forward Current

Surge Current (t = 1 µs)

Power Dissipation

100

I_FM

I_FSM

P_tot

T_j

300

200

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

T_s

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

V_F

Max.

1.2

Unit

Forward Voltage

at I_F= 100 mA

Reverse Current

at V_R= 70 V

I_R

C_T

t_rr

0.1

3.5

µA

Total Capacitance

at V_R= 6 V, f = 1 MHz

Reverse Recovery Time

at V_R= 6 V, I_F= 5 mA, R_L= 50 Ω

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 10/10/2008

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