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MM74C200

更新时间: 2024-01-06 11:31:05
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德州仪器 - TI 存储
页数 文件大小 规格书
8页 385K
描述
256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory

MM74C200 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92I/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDIP-T16JESD-609代码:e0
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:16字数:256 words
字数代码:256工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256X1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5/15 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MM74C200 数据手册

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MM54C200,MM74C200  
MM54C200 MM74C200 256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory  
Literature Number: SNOS329A  

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