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MM74C200D/A+ PDF预览

MM74C200D/A+

更新时间: 2024-09-30 04:44:55
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 226K
描述
IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC

MM74C200D/A+ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92I/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-XDIP-T16JESD-609代码:e0
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:16字数:256 words
字数代码:256工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256X1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5/15 V子类别:SRAMs
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MM74C200D/A+ 数据手册

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