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MM3Z2V7

更新时间： 2024-01-08 00:37:25

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金誉半导体 - HTSEMI		二极管齐纳二极管
页数	文件大小	规格书
4页	625K
描述
Silicon Planar Zener Diodes

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MM3Z2V7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-50 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.3 W
参考标准：	AEC-Q101	标称参考电压：	2.7 V
最大反向电流：	120 µA	反向测试电压：	1 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	5 mA

MM3Z2V7 数据手册

MM3Z2V0~MM3Z75

Silicon Planar Zener Diodes

Features

PINNING

• Total power dissipation : max. 300 mW

DESCRIPTION

Cathode

• Small plastic package suitable for

surface mounted design

Anode

• Tolerance approximately ± 5%

Top View

Simplified outline SOD-323 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

300

Unit

Power Dissipation

P_tot

T_j

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

417

Unit

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

C/W

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

V_F

0.9

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

12 3 4

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