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MM3Z2V7S

更新时间： 2024-02-22 11:40:21

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3页	319K
描述
Planar Die Construction

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MM3Z2V7S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-50 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.3 W
参考标准：	AEC-Q101	标称参考电压：	2.7 V
最大反向电流：	120 µA	反向测试电压：	1 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	5 mA

MM3Z2V7S 数据手册

Product specification

MM3Z2V7S

SOD-323

Unit: mm

■ Features

+0.1

+0.05

1.7_-0.1

0.85_-0.05

● Planar Die Construction

● Ultra-Small Surface Mount Package

● Ideally Suited for Automated Assembly Processes

+0.1

2.6_-0.1

1.0max

0.475

0.375

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Power Dissipation

Forward Voltage

(Note 1)

200

0.9

@ IF = 10mA

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

RθJA

625

℃/W

℃

Tj, TSTG

-65 to +150

Note: 1.Part mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout.

Electrical Characteristics @Ta=25℃ unless otherwise specified

■

Maximum Reverse

Current

Typical

Zener Voltage Range

(Note 2)

Maximum ZenerImpedance

Temperature

Coefficient

@ IZT

(Note 3)

(Note 2)

Type Number

MM3Z2V7S

mV/℃

Vz @ IZT

IR @ VR

IZT

ZZT @ IZT ZZK @ IZK

IZK

Min (V) Nom (V) Max (V)

0.5

μA

Min

-3.5

Max

2.5

2.7

2.9

100

1000

1.0

Notes: 2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.

3. f = 1kHz.

■ Marking

Marking

http://www.twtysemi.com

1 of 3

sales@twtysemi.com

4008-318-123

12 3

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