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MM1Z8V2B

更新时间： 2024-02-02 11:56:11

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金誉半导体 - HTSEMI		二极管齐纳二极管局域网
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3页	586K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

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MM1Z8V2B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

MM1Z8V2B 数据手册

MM1Z2V2B~MM1Z39B

SILICON PLANAR ZENER DIODES

Features

PINNING

• Total power dissipation: max. 500 mW

• Small plastic package suitable for

surface mounted design

• High reliability

DESCRIPTION

Cathode

Anode

Top View

Simplified outline SOD-123 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

P_tot

Value

500

Unit

Power Dissipation

Junction Temperature

T_j

150

Storage Temperature Range

T_Stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

R_thA

Max.

340

Unit

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

C/W

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

V_F

0.9

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

12 3

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