是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.77 |
最长访问时间: | 45 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流: | 0.00008 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MM1I-65656V-45/883:D | ATMEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, | |
MM1I-65656V45P883 | TEMIC |
获取价格 |
32KX8 STANDARD SRAM, 45ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 | |
MM1I-65656V-45P883 | ATMEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, | |
MM1I-65656V-45P883:D | ATMEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, | |
MM1I-65656V-45SHXXX | ATMEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, | |
MM1I-65656V55/883 | ATMEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, | |
MM1I-65656V-55:D | ATMEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, | |
MM1I-65656V-55P883:D | ATMEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, | |
MM1I-65656V55SHXXX | TEMIC |
获取价格 |
32KX8 STANDARD SRAM, 55ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 | |
MM1I67203L25CB | TEMIC |
获取价格 |
Memory IC, |