5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.92 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 7 Ω |
| JEDEC-95代码： | DO-213AB | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 膝阻抗最大值： | 550 Ω |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/115 |
| 标称参考电压： | 5.1 V | 最大反向电流： | 10 µA |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max： | 0.51 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 49 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MLXV3826A-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
|
| MLXV3826A-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
|
| MLXV3826AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, |
|
| MLXV3826E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.1V V(Z), 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, |
|
| MLXV3827A | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB |
|
| MLXV3827A-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
|
| MLXV3827A-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
|
| MLXV3827AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, |
|
| MLXV3827E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.6V V(Z), 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, |
|
| MLXV3828A | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
