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MLL14KESD85

更新时间: 2024-11-28 22:40:47
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 123K
描述
SURFACE MOUNT

MLL14KESD85 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-213AB包装说明:O-LELF-R2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最小击穿电压:94.4 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:157.1 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-213ABJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:4000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:85 V
最大反向电流:1 µA表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

MLL14KESD85 数据手册

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