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MJB18004D2T4

更新时间： 2024-01-03 15:13:09

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	222K
描述
5A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, D2PAK-3

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MJB18004D2T4 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.92	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	450 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	18
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	13 MHz
Base Number Matches：	1

MJB18004D2T4 数据手册

ON Semiconductort

MJB18004D2T4

High Speed, High Gain Bipolar

NPN Power Transistor with

Integrated Collector-Emitter

Diode and Built-in Efficient

POWER TRANSISTORS

5 AMPERES

1000 VOLTS

75 WATTS

Antisaturation Network

D2PAK For Surface Mount

The MJB18004D2T4 is state–of–art High Speed High gain Bipolar

transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot

minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for

light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an

window.

Main features:

MARKING DIAGRAM

• Low Base Drive Requirement

• High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ I = 100 mA

• Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the

H2BIP Structure which Minimizes the Spread

YWW

MJB

18004D2

D PAK

• Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode

CASE 418B

STYLE 1

• Fully Characterized and Guaranteed Dynamic V

CE(sat)

• “6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter

Spreads

= Year

= Work Week

It’s characteristics make it also suitable for PFC application.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2001

Publication Order Number:

MJB18004D2T4/D

June, 2001 – Rev. 0

12 3 4 5 6 7...16

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