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MJ423-B

更新时间： 2024-09-26 20:41:51
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
1页 143K
描述
Transistor

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MJ423-B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92JESD-609代码：e0
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

MJ423-B 数据手册

  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MJ423  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
With TO-3 package  
For medium-to-high voltage inverters ,converters, regulators and  
switching circuits  
Silicon NPN Transistor  
TO-3  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBo  
VEBo  
IB  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Base Current  
Rating  
400  
Unit  
V
A
N
E
325  
V
C
K
5.0  
V
2.0  
A
IC  
Collector Current  
10  
A
D
PD  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
125  
W
℃
℃
TJ  
200  
U
TSTG  
-65 to +200  
V
L
H
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
2
G
B
Symbol  
VCEO  
Parameter  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
(IC=100mAdc, IB=0)  
Min  
325  
Max  
---  
Units  
Vdc  
1
ICBO  
IEBO  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=400Vdc,IE=0)  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=1Adc, IB=0.1Adc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=1Adc, IB=0.1Adc)  
Forward Current Transfer ratio  
(IC=1Adc, VCE=5Vdc)  
(IC=2.5Adc, VCE=5Vdc)  
Transition Frequency  
(VCE=10Vdc, IC=0.2Adc)  
---  
---  
---  
---  
0.25  
5.0  
mAdc  
mAdc  
Vdc  
Q
PIN 1.  
PIN 2.  
CASE.  
BASE  
EMITTER  
COLLECTOR  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
hFE  
0.8  
1.25  
Vdc  
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
G
H
K
MIN  
1.550  
MAX  
REF  
1.050  
.335  
.043  
0.70  
BSC  
BSC  
.480  
BSC  
.830  
.165  
BSC  
.188  
MIN  
39.37  
-----  
MAX  
REF  
26.67  
8.51  
1.09  
1.77  
BSC  
BSC  
12.19  
BSC  
21.08  
4.19  
BSC  
4.77  
NOTE  
30  
10  
2.5  
90  
---  
---  
-----  
.250  
.038  
0.55  
.430  
.215  
.440  
.665  
-----  
.151  
1.187  
.131  
6.35  
0.97  
1.40  
10.92  
5.46  
11.18  
16.89  
-----  
fT  
MHz  
L
N
Q
U
V
3.84  
30.15  
3.33  
www.mccsemi.com  
Revision: 3  
2005/08/22  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJ423-BP MCC

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 		暂无描述
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 		isc Silicon NPN Power Transistor
MJ42C11192 WINCHESTER

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 		Card Edge Connector, 84 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, 0.1 inch Pitch, Press Fit
MJ42C11792 WINCHESTER

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 		Card Edge Connector, 84 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Press Fit Terminal, ROHS C
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