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MHW1345N

更新时间： 2024-01-15 10:18:15

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描述
General Purpose Linear Amplifier Module

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MHW1345N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-115J	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.1	特性阻抗：	50 Ω
构造：	MODULE	增益：	33.5 dB
最大输入功率 (CW)：	5 dBm	功能数量：	1
最大工作频率：	200 MHz	最小工作频率：	10 MHz
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	20 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SOT-115J
电源：	24 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	330 mA
技术：	BIPOLAR	最大电压驻波比：	2
Base Number Matches：	1

MHW1345N 数据手册

Document Number: MHW1345N

Rev. 3, 5/2006

Freescale Semiconductor

Technical Data

General Purpose Linear

Amplifier Module

MHW1345N

Features

• 34.5 dB Typical Gain @ 100 MHz

• Silicon Bipolar Technology

• Class A Operation

10-200 MHz

34.5 dB

800 mW

• Typical ITO = +44 dBm @ 200 MHz

• Unconditionally Stable Under All Load Conditions

Applications

GENERAL PURPOSE

LINEAR AMPLIFIER MODULE

• Driver Amplifier in 50 Ohm Systems Requiring High Linearity

• Instrumentation Amplifiers

• Return Path Amplifier on CATV Systems Operating in the 10 to 200 MHz

Frequency Range

• Possible Replacement for CA2830C

Description

• 24 Vdc Supply, 10 to 200 MHz, General Purpose Linear Amplifier Module

• Replaced MHW1345. There are no form, fit or function changes with this

part replacement.

• RoHS Compliant

CASE 1302-01, STYLE 1

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

dBm

°C

DC Supply Voltage

RF Power Input

Operating Case Temperature Range

Storage Temperature Range

- 20 to +100

- 40 to +100

stg

°C

Table 2. Electrical Characteristics (T = 25°C, V = 24 V, 50 Ω system unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

—

Max

200

Unit

MHz

Frequency Range

Gain Flatness (f = 10 - 200 MHz)

Power Gain (f = 100 MHz)

—

0.5

33.5

—

34.5

3.8

35.5

4.5

—

Noise Figure, Broadband (f = 200 MHz)

Power Output — 1 dB Compression

(f = 10 - 200 MHz)

630

800

1dB

Power Output — 1 dB Compression

1000

1260

—

1dB

(f = 10 - 200 MHz, V = 28 V)

Third Order Intercept (See Figure 2, f = 200 MHz)

ITO

—

dBm

—

Input/Output VSWR (f = 10 - 200 MHz)

VSWR

1.5:1

- 60

2:1

- 50

Second Harmonic Distortion

(Tone at 100 mW, f = 150 MHz)

Peak Envelope Power

(Two Tone Distortion Test — See Figure 2)

(f = 10 - 200 MHz @ - 32 dB IMD)

PEP

600

270

800

310

—

Supply Current

330

MHW1345N

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MHW1346	FREESCALE	获取价格	CATV Amplifier Module
MHW1346N	NXP	获取价格	5 MHz - 200 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, ROHS COMPLIANT, CASE 1302-01,
MHW1353LA	MOTOROLA	获取价格	CATV AMPLIFIER MODULE
MHW1354LA	MOTOROLA	获取价格	CATV AMPLIFIER MODULE
MHW1354LAN	ROCHESTER	获取价格	5MHz - 65MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER, ROHS COMPLIANT, CASE 1302-01,
MHW1354LAN	NXP	获取价格	5 MHz - 65 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER, ROHS COMPLIANT, CASE 1302-01
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