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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-257AA |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 50 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MHT4N50HX | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MHT4N50HXV | MOTOROLA |
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4A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
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| MHT806 | ETC |
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Analog IC |
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| MHT8N20 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MHT8N20HX | MOTOROLA |
获取价格 |
8A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
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| MHT8N20HXV | MOTOROLA |
获取价格 |
8A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
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| MHT8P20 | MOTOROLA |
获取价格 |
8A, 200V, 0.75ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
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| MHT8P20HX | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.75ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| MHT8P20HXV | MOTOROLA |
获取价格 |
8A, 200V, 0.75ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
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| MHU04N60 | CITC |
获取价格 |
Silicon N-Channel Power MOSFET |
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