是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.92 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A |
最大漏极电流 (ID): | 8 A | 最大漏源导通电阻: | 0.4 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-257AA |
JESD-30 代码: | R-MSFM-P3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 50 W |
最大功率耗散 (Abs): | 50 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MHT8P20 | MOTOROLA |
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8A, 200V, 0.75ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA | |
MHT8P20HX | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.75ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
MHT8P20HXV | MOTOROLA |
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8A, 200V, 0.75ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA | |
MHU04N60 | CITC |
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Silicon N-Channel Power MOSFET | |
MHU04N65 | CITC |
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Silicon N-Channel Power MOSFET | |
MHU07N65 | CITC |
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Silicon N-Channel Power MOSFET | |
MHV | TRACOPOWER |
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HV-PowerSupplies -(MHV Series 2 - 2.5 Watt) | |
MHV11C225KAB2A | KYOCERA AVX |
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Molded Case MLCC | |
MHV11C225KAB4A | KYOCERA AVX |
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Molded Case MLCC | |
MHV11C225KAB6A | KYOCERA AVX |
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Molded Case MLCC |