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MHQ2222

更新时间： 2024-01-11 15:10:31

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SEME-LAB		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	41K
描述
Quad Dual-In-Line NPN Silicon Transistors

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MHQ2222 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	IN-LINE, R-CDIP-T14
针数：	14	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.64	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
基于收集器的最大容量：	8 pF	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS	JEDEC-95代码：	TO-116
JESD-30 代码：	R-CDIP-T14	JESD-609代码：	e0
元件数量：	4	端子数量：	14
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	350 MHz
Base Number Matches：	1

MHQ2222 数据手册

MHQ2222

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

Quad Dual-In-Line

NPN Silicon Transistors

0.457 0.102

(0.018 0.004)

FEATURES

• V_(BR)CEO= 40V (Min)

• Hermetic Package

• Screening Options Available

APPLICATIONS

• General Purpose Switching

• DC to VHF Amplifiers

0.508

(0.020)

Min.

2.134

(0.084)

1.422 0.102

(0.056 0.004)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( T_c= 25°C unless otherwise stated)

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector - Emitter Voltage

Collector - Base Voltage

Emitter – Base Voltage

40V

60V

Collector Current - Continuous

500mA

Each

Transistor

Total

Device

P_D

Power Dissipation at

T_A= 25°C

0.65W

1.9W

Derate Above

25°C

3.72mW/°C

10.88mW/°C

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

200°C

-65 to +200°C

T_stg

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