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MH8V644AWZJ-7

更新时间: 2024-01-08 15:31:46
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三菱 - MITSUBISHI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 185K
描述
DRAM Module, 8MX64, 70ns, CMOS

MH8V644AWZJ-7 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.84
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-XDMA-N168
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:168
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:ASYNCHRONOUS组织:8MX64
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

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