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MH8V7245AZTJ-6

更新时间: 2024-01-04 03:51:10
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 629K
描述
EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168

MH8V7245AZTJ-6 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM, DIMM168针数:168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N168内存密度:603979776 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:72
功能数量:1端口数量:1
端子数量:168字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX72输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM168封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
最大待机电流:0.0245 A子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:1.1 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MH8V7245AZTJ-6 数据手册

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