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MH8V725BAZTJ-6 PDF预览

MH8V725BAZTJ-6

更新时间： 2024-02-02 09:56:49
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
23页 147K
描述
HYPER PAGE MODE 603979776 - BIT ( 8388608 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM

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MH8V725BAZTJ-6 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM, DIMM168针数：168
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.32风险等级：5.84
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：60 ns
其他特性：CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N168内存密度：603979776 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE内存宽度：72
功能数量：1端口数量：1
端子数量：168字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：8MX72输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM168封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
最大待机电流：0.0245 A子类别：Other Memory ICs
最大压摆率：1.1 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MH8V725BAZTJ-6 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
Preliminary Spec.  
Specifications subject to  
change without notice.  
MH8V725BAZTJ -5, -6  
HYPER PAGE MODE 603979776 - BIT ( 8388608 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM  
DESCRIPTION  
PIN CONFIGURATION  
The MH8V725BAZTJ is 8388608-word x 72-bit dynamic  
ram module. This consist of nine industry standard 8M x 8  
dynamic RAMs in TSOP and three industry standard input  
buffer in TSSOP.  
The mounting of TSOP on a card edge dual in-line package  
provides any application where high densities and large of  
quantities memory are required.  
This is a socket-type memory module ,suitable for easy  
interchange or addition of module.  
85pin  
1pin  
94pin  
95pin  
10pin  
11pin  
FEATURES  
/RAS  
access access access access  
time time time time  
/CAS Address /OE  
Cycle  
Power  
Type name  
time dissipation  
(max.ns) (max.ns) (max.ns) (max.ns) (min.ns)  
(typ.W)  
MH8V725BAZTJ-5  
MH8V725BAZTJ-6  
50  
60  
18  
20  
30  
35  
18  
20  
90  
2.80  
2.35  
110  
Utilizes industry standard 8M x 8 RAMs in TSOP and industry  
standard input buffer in TSSOP  
168-pin (84-pin dual dual in-line package)  
Single +3.3V(±0.3V) supply operation  
Low stand-by power dissipation  
116.2mW(Max) . . . . . . . . . . LVCMOS input level  
Low operation power dissipation  
MH8V725BAZTJ -5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.34W(Max)  
MH8V725BAZTJ -6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.02W(Max)  
All input are directly LVTTL compatible  
124pin  
125pin  
40pin  
41pin  
FRONT SIDE  
BACK SIDE  
All output are three-state and directly LVTTL compatible  
Includes(0.22uF x 11) decoupling capacitors  
4096 refresh cycle every 64ms (A0~12)  
Hyper-page mode,Read-modify-write,  
/CAS before /RAS refresh,Hidden refresh capabilities  
JEDEC standard pin configuration & Buffered PD pin  
Buffered input except /RAS and DQ  
Gold plating contact pads  
APPLICATION  
Main memory unit for computers , Microcomputer memory  
168pin  
84pin  
PD&ID TABLE  
PD1 PD2 PD3 PD4 PD5 PD6 PD7 PD8 ID0 ID1  
- 5  
- 6  
0
1
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
1
1
1
1
1
1
0
0
1 = NC , 0 = drive to VOL  
PD pin . . . buffered. When /PDE is low, PD information can be read  
ID pin . . . non-buffered  
MITSUBISHI  
MIT-DS-0285-0.0  
9/Nov. /1998  
ELECTRIC  
( 1 / 23 )  
1234567...23

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与MH8V725BAZTJ-6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MH8V725CJ-6 MITSUBISHI

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 		DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS
MH8V72AWZJ-5 MITSUBISHI

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 		FAST PAGE MODE 603979776 - BIT ( 8388608 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM
MH8V72AWZJ-6 MITSUBISHI

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 		FAST PAGE MODE 603979776 - BIT ( 8388608 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM
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