生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIMM |
包装说明: | DIMM, DIMM168 | 针数: | 168 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.32 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间: | 50 ns | 其他特性: | CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-N168 |
内存密度: | 603979776 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE |
内存宽度: | 72 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 168 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8MX72 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM168 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 最大待机电流: | 0.0245 A |
子类别: | Other Memory ICs | 最大压摆率: | 1.19 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MH8V725BAZTJ-6 | MITSUBISHI |
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HYPER PAGE MODE 603979776 - BIT ( 8388608 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM |
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MH8V725CJ-6 | MITSUBISHI |
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DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS |
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MH8V72AWZJ-5 | MITSUBISHI |
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FAST PAGE MODE 603979776 - BIT ( 8388608 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM |
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MH8V72AWZJ-6 | MITSUBISHI |
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FAST PAGE MODE 603979776 - BIT ( 8388608 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM |
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MH8V72AWZJ-7 | MITSUBISHI |
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DRAM Module, 8MX72, 70ns, CMOS |
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MH8V72AZTJ-5 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168 |
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MH8V72AZTJ-6 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 |
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MH8V72CJ-6 | MITSUBISHI |
获取价格 |
DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS |
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MH8V72CJ-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
DRAM Module, 8MX72, 70ns, CMOS |
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MH900 | PERKINELMER |
获取价格 |
Ultra High Sensitivity Channel Photomultiplier Head Including High Voltage Power Supply |
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