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Datasheet > 存储 > DRAM> MH8V7245BWZTJ-5
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MH8V7245BWZTJ-5

更新时间： 2024-02-15 13:04:34
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
24页 150K
描述
HYPER PAGE MODE 603979776 - BIT ( 8388608 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM

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MH8V7245BWZTJ-5 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM, DIMM168针数：168
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.32风险等级：5.84
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：50 ns其他特性：CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N168
内存密度：603979776 bit内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE
内存宽度：72功能数量：1
端口数量：1端子数量：168
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX72
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM168
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096座面最大高度：31.496 mm
最大待机电流：0.0045 A子类别：DRAMs
最大压摆率：1.17 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MH8V7245BWZTJ-5 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
Preliminary Spec.  
Specifications subject to  
change without notice.  
MH8V7245BWZTJ -5, -6  
HYPER PAGE MODE 603979776 - BIT ( 8388608 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM  
DESCRIPTION  
PIN CONFIGURATION  
The MH8V7245BWZTJ is 8388608-word x 72-bit dynamic  
ram module. This consist of nine industry standard 8M x 8  
dynamic RAMs in TSOP and one industry standard  
EEPROM in TSSOP.  
85pin  
1pin  
The mounting of TSOPs and TSSOP on a card edge dual  
in-line package provides any application where high  
densities and large of quantities memory are required.  
This is a socket-type memory module ,suitable for easy  
interchange or addition of module.  
94pin  
95pin  
10pin  
11pin  
FEATURES  
/RAS  
access access access access  
time time time time  
/CAS Address /OE  
Cycle  
Power  
Type name  
time dissipation  
(max.ns) (max.ns) (max.ns) (max.ns) (min.ns)  
(typ.W)  
MH8V7245BWZTJ-5  
MH8V7245BWZTJ-6  
50  
60  
84  
13  
15  
25  
30  
13  
15  
3.51  
2.93  
104  
Utilizes industry standard 8M x 8 RAMs in TSOP and industry  
standard EEPROM in TSSOP  
168-pin (84-pin dual dual in-line package)  
Single +3.3V(±0.3V) supply operation  
124pin  
125pin  
40pin  
41pin  
FRONT SIDE  
BACK SIDE  
Low stand-by power dissipation  
16.2mW(Max) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . LVCMOS input level  
Low operation power dissipation  
MH8V7245BWZTJ -5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.22W(Max)  
MH8V7245BWZTJ -6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.89W(Max)  
All input are directly LVTTL compatible  
All output are three-state and directly LVTTL compatible  
Includes(0.22uF x 9) decoupling capacitors  
4096 refresh cycle every 64ms  
Hyper-page mode,Read-modify-write,  
/CAS before /RAS refresh,Hidden refresh capabilities  
Gold plating contact pads  
Row Address  
A0 ~ A11  
Column Address A0 ~ A10  
168pin  
84pin  
APPLICATION  
Main memory unit for computers , Microcomputer memory  
MITSUBISHI  
MIT-DS-0287-0.0  
9/Nov./1998  
ELECTRIC  
( 1 / 24 )  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MH8V7245BWZTJ-6 MITSUBISHI

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MH8V724AWZJ-5 MITSUBISHI

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 		FAST PAGE MODE 603979776 - BIT ( 8388608 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM
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MH8V724AWZJ-7 MITSUBISHI

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 		DRAM Module, 8MX72, 70ns, CMOS
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