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三菱 - MITSUBISHI | 动态存储器内存集成电路 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
13页 | 427K | |
描述 | ||
Fast Page DRAM Module, 16MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SIMM |
包装说明: | SIMM, SSIM72 | 针数: | 72 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.32 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | 备用内存宽度: | 18 |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XSMA-N72 |
内存密度: | 603979776 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM MODULE |
内存宽度: | 36 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 72 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | SIMM | 封装等效代码: | SSIM72 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.036 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 3.24 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | SINGLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
MH16M36BJ-6 | MITSUBISHI | Fast Page DRAM Module, 16MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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MH16M36BNJ-6 | MITSUBISHI | Fast Page DRAM Module, 16MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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MH16M36BNJ-7 | MITSUBISHI | Fast Page DRAM Module, 16MX36, 70ns, CMOS, SIMM-72 |
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MH16M36CJ-5 | MITSUBISHI | Fast Page DRAM Module, 16MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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MH16M36CJ-5S | MITSUBISHI | Fast Page DRAM Module, 16MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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MH16M36CJ-7 | MITSUBISHI | Fast Page DRAM Module, 16MX36, 70ns, CMOS, SIMM-72 |
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