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MH12808TNA-15H

更新时间: 2024-11-21 15:41:43
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 208K
描述
SRAM Module, 128KX8, 150ns, CMOS

MH12808TNA-15H 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP32,.6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.91最长访问时间:150 ns
其他特性:DECODER AVAILABLEI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-T32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00004 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MH12808TNA-15H 数据手册

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