是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TO-220, 3 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.72 | 应用: | GENERAL PURPOSE |
最小击穿电压: | 120 V | 配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.88 V | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 最大非重复峰值正向电流: | 150 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 15 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压: | 120 V | 最大反向电流: | 100 µA |
反向测试电压: | 120 V | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MGBR30L120CL-TF3-T | UTC |
获取价格 |
DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR30L150 | UTC |
获取价格 |
barrier rectifier | |
MGBR30L150C | UTC |
获取价格 |
DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR30L150CG-TA3-T | UTC |
获取价格 |
DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR30L150CG-TF1-T | UTC |
获取价格 |
DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR30L150CL-TA3-T | UTC |
获取价格 |
DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR30L150CL-TF1-T | UTC |
获取价格 |
DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR30L45C | UTC |
获取价格 |
DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR30L45C_15 | UTC |
获取价格 |
DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR30L45CG-TA3-T | UTC |
获取价格 |
DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER |