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MG35P12P3

更新时间： 2024-04-09 19:01:16

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P3

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MG35P12P3 数据手册

RoHS

MG35P12P3

COMPLIANT

 IGBT- inverter

Characteristic Values

Value

Symbol

Conditions

Unit

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Gate-Emitter Threshold Voltage

Collector-Emitter Cut-off Current

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE,I_C=1.4mA,T_vj=25℃

V_CE=1200V,V_GE=0V, T_vj=25℃

I_C=35A,V_GE=15V, T_vj=25℃

I_C=35A,V_GE=15V, T_vj=125℃

I_C=35A,V_GE=15V, T_vj=150℃

5.2

5.8

6.4

1.0

1.82

2.00

2.10

0.27

2.5

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

Gate Charge

Q_G

C_ies

C_res

I_GES

t_d(on)

t_r

Input Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Gate-Emitter leakage current

Turn-on Delay Time

Rise Time

V_CE=25V,V_GE=0V,

f=1MHz, T_vj=25℃

0.087

V_CE=0V, V_GE=20V,T_vj= 25℃

400

I_C=35A

Turn-off Delay Time

Fall Time

t_d(off)

t_f

141

250

V_CE=600V

V_GE=± 15V

R_G=20Ω

T_vj=25℃

Energy Dissipation During

Turn-on Time

E_on

E_off

4.45

1.95

Energy Dissipation During

Turn-off Time

Turn-on Delay Time

Rise Time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

I_C=35A

Turn-off Delay Time

Fall Time

155

275

V_CE=600V

V_GE=± 15V

R_G=20Ω

Energy Dissipation During

Turn-on Time

T_vj=150℃

E_on

E_off

I_SC

5.28

2.27

140

Energy Dissipation During

Turn-off Time

t_p≤10us,V_GE=15V,T_vj=150℃,

V_CC=900V,V_CEM≤1200V

SC Data

S-M323

Rev.2.0A, 12-Dec-23

www.21yangjie.com

123 4 5 6 7...13

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