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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-D3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG15G2YK1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG15G2YL1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG15G4GL1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 450 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-48A1A, 11 PIN, BIP General |
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| MG15G6EL2 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 400 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-64A1A, 15 PIN, BIP General |
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| MG15G6EM1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 450 V, 0.4 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-64A1B, 15 PIN, |
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| MG15H1AL1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 550 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-33F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
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| MG15H1BS1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, 2-22B1A, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG15H6EL1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 500 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-64A1A, 15 PIN, BIP General |
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| MG15H6EM1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 500 V, 0.4 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-64A1B, 15 PIN, |
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| MG15H6ES1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 15 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, 2-64A2A, 15 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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