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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH SPEED SWITCHING |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 500 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-D3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 600 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 400 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MG15H6EL1 | TOSHIBA | TRANSISTOR 15 A, 500 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-64A1A, 15 PIN, BIP General |
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| MG15H6EM1 | TOSHIBA | TRANSISTOR 15 A, 500 V, 0.4 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-64A1B, 15 PIN, |
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| MG15H6ES1 | TOSHIBA | TRANSISTOR 15 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, 2-64A2A, 15 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG15J6ES1 | TOSHIBA | TRANSISTOR 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, 2-64A2A, 15 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG15J6ES40 | TOSHIBA | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| MG15M2YK1 | ETC | TRANSISTOR MODULES |
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