5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D15 |
| 针数： | 15 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 15 A | 集电极-发射极最大电压： | 500 V |
| 配置： | COMPLEX | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-D15 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 15 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG15H6EM1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 15 A, 500 V, 0.4 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-64A1B, 15 PIN, |
|
| MG15H6ES1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 15 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, 2-64A2A, 15 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
|
| MG15J6ES1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, 2-64A2A, 15 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
|
| MG15J6ES40 | TOSHIBA |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
|
| MG15M2YK1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
|
| MG15M2YL1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
|
| MG15N0R1B250 | WALSIN |
获取价格 |
0402, NPO, 0.1pF, 25Vdc |
|
| MG15N0R1B500 | WALSIN |
获取价格 |
0402, NPO, 0.1pF, 50Vdc |
|
| MG15N0R3B500 | WALSIN |
获取价格 |
0402, NPO, 0.3pF, 50Vdc |
|
| MG15N0R5B100CT | WALSIN |
获取价格 |
High capacitance in given case size |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
