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MG065R060

更新时间： 2024-04-09 19:02:08

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华微电子 - JSMC		/
页数	文件大小	规格书
8页	632K
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TO-247

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MG065R060 数据手册

MG065R060

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

项

目

符

号

测试条件

最小典型最大单位注释

Parameter

漏－源击穿电压

Symbol

Tests conditions

Min

650

1.8

Typ Max Units Note

BV_DSSI_D=100μA, V_GS=0V

Drain-Source Voltage

阈值电压

V_DS= V_GS,I_D=5mA, T_C=25℃

2.3

3.5

V_GS(th)

Fig. 6

Gate Threshold Voltage

零栅压下漏极漏电流

V_DS= V_GS,I_D=5mA, T_C=175℃

V_DS=650V,V_GS=0V, T_C=25℃

1.55

Zero Gate Voltage Drain I_DSS

Current

100 μA

栅极体漏电流

Gate-body leakage

current

I_GSS

V_DS=0V, V_GS=20V

200 nA

导通电阻

V_GS=20V , I_D=20A, T_C=25℃

V_GS=20V , I_D=20A, T_C=175℃

80 mΩ

mΩ

Drain-Source

On-Resistance

跨导

R_DS(ON)

Fig. 4

Fig. 5

V_DS= 20V, I_D=20A, TJ = 25 ˚C

V_DS= 20V, I_D=20A, TJ =175 ˚C

4.7

5.9

g_fs

Transconductance

输入电容

C_iss

C_oss

1700

172

Input capacitance

输出电容

V_DS=1000V,

V_GS=0V,

Output capacitance

反向传输电容

Reverse transfer

capacitance

Fig.8

f=1.0MH_Z，

V_AC=25 mV

C_rss

导通开关能量

Turn-OnSwitching Energy

关断开关能量

Turn-OffSwitching Energy

延迟时间

E_ON

140

2.0

V_DS=400V, V_GS=-5/20V,I_D=

µJ

10A, R_G(ext)= 5Ω, L= 142μH

E_OFF

td(on)

Ω

Turn-On delay time

上升时间

VDD=400V, VGS=-0/20V

Turn-On rise time

延迟时间

ID = 10A, RG(ext) = 5 Ω ,

RL=40ΩTiming relative to VDS

td(off)

Turn-Off delay time

下降时间

t_f

Turn-Off Fall time

栅电阻

R_G

Intrinsic gate resistance

栅－源电荷 Gate-Source

charge

f = 1 MHz , V_AC=25mV

V_DD=400V, V_GS=-0/20V I_D

10A

Q_gs

nC Fig. 9

版本：202306A

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