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MFC200A

更新时间： 2024-02-04 09:13:24

品牌	Logo	应用领域
柳晶 - LIUJING		可控硅
页数	文件大小	规格书
3页	766K
描述
可控硅、晶闸管

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MFC200A 数据手册

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MFC200A

普通晶闸管、整流管混合模块

Liujing rectifier co., Ltd.

特点

芯片与底板电气绝缘，

交流绝缘

1).

2).

3).

2500V

全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力

体积小重量轻

,

典型应用

I_T(AV)

200A

V_DRM/V_RRM600~18000V

交直流电机控制

1).

2).

3).

3

×

I_TSM

I²t

7.2 A 10

各种整流电源

变频器

259 A²S*10³

主要参数

符号

参数

测试条件

结温

参数值

典型

单位

℃

T_j(

)

最小

最大

200

314

通态平均电流

方均根电流

°正弦半波

180

单面散热

℃

,Tc=85

I_T(AV)

,50Hz

125

125

A

A

I_T(RMS)

断态重复峰值电压

反向重复峰值电压

断态重复峰值电流

反向重复峰值电流

通态不重复浪涌电流

浪涌电流平方时间积

门槛电压

V_DRM

V_RRM

V_DRM&V_RRMtp=10ms

_DSM&V_RSM= V_DRM&V_RRM+200V

125

125

125

125

600

1800

30

V

V

I_DRM

I_RRM

V_DM= V_DRM

V_RM= V_RRM

mA

I_TSM

I²t

7.20

259

KA

A²s*10³

V

正弦半波

10ms

V_R=0.6V_RRM

V_TO

r_T

0.80

1.27

1.65

800

斜率电阻

Ω

m

通态峰值电压

V_TM

dv/dt

I_TM=600A

25

V

断态电压临界上升率

μ

V

_DM=67%V_DRM

125

V/

s

s

门极触发电流幅值

I

_TM=400A,

I_GM=1.5A,

通态电流临界上升率

μ

di/dt

125

100

A/

门极上升时间

μ

tr≤0.5 s

门极触发电流

门极触发电压

维持电流

I_GT

V_GT

30

1.0

20

180

2.5

mA

V

V_A=12V, I_A=1A

At 67%V_DRM

25

I_H

150

mA

V

门极不触发电压

V_GD

R_th(j-c)

R_th(c-h)

V_iso

125

0.2

热阻抗结至壳

(

°正弦波单面散热

180

℃

)

)

,

0.140

0.04

/W

/W

热阻抗壳至散

(

°正弦波单面散热

180

℃

,

绝缘电压

50Hz, R.M.S, t=1min, I_iso:1mA(MAX)

2500

-40

V

安装扭矩

安装扭矩

(M8)

(M6)

12

6

N·m

N·m

℃

F_m

贮存温度

质量

包装盒尺寸

T

stg

125

外形为

W_t

401F

860

g

Size

mm

×

×

（只装）

1

120 67 56

www.china-liujing.com

1 / 3

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