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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
静态存储器内存集成电路 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 200K |  |
| 描述 | ||
| SRAM Card, 256KX8, 200ns, MOS | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 200 ns | 其他特性： | BATTERY BACK-UP; WRITE PROTECT |
| JESD-30 代码： | X-XXMA-X60 | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM CARD | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 50 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小待机电流： | 2.6 V | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MF3256-MLDAP00 | MITSUBISHI | SRAM Card, 256KX8, 200ns, MOS |
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| MF3256-MLDAP01 | MITSUBISHI | SRAM Card, 256KX8, 200ns, MOS |
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| MF3256-MLDAPXX | MITSUBISHI | SRAM Card, 256KX8, 200ns, MOS |
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| MF3257-J1DATXX | MITSUBISHI | SRAM Card, 256KX8, 200ns, MOS |
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| MF3257-J5DAT00 | MITSUBISHI | SRAM Card, 256KX8, 200ns, MOS |
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| MF3257-J5DAT01 | MITSUBISHI | SRAM Card, 256KX8, 200ns, MOS |
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