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MF3256-MLDAPXX

更新时间: 2024-01-08 16:54:48
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 105K
描述
SRAM Card, 256KX8, 200ns, MOS

MF3256-MLDAPXX 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:, CARD60
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:200 nsJESD-30 代码:X-XXMA-X60
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:SRAM CARD
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:60
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:50 °C
最低工作温度:组织:256KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装等效代码:CARD60
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.016 A
最小待机电流:2.6 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.165 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIEDBase Number Matches:1

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